NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR Ucbo=100V, Ic=5A, Pc=65W, Iceo=0,5mA, hfe=1000, complementary PNP type TIP127Наименование производителя: TIP122Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CСтатический коэффициент передачи тока (hfe): 1000Корпус транзистора: TO220
230 Руб.Датчик фотоэлектрический, definite, 50-500мм, DC, 3-wire, NPN/PNP, кабель 2м
27839 Руб.Датчик фотоэлектрический, диффузный, 2m, DC, 3-wire, NPN/PNP, горизонтальный, M12 plug-in
16366 Руб.Датчик фотоэлектрический, на пересечение луча, приемник, 30m, DC, 3-wire, NPN/PNP, вертикальный, кабель 5м
20913 Руб.