Мосфет BSS8402DW-7-F KNP. ТЧранзистор: N/P-MOSFET, полевой, дополнительная пара, 60/-50В
207 Руб.
Микросхема NTMFD4C86N Dual N-Channel MOSFET 30V 32A, 1 шт. Модель: NTMFD4C86N Dual N-Channel MOSFET Сила тока: 32A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
629 Руб.
Прибор изготовлен в виде открытой платы, с жидкокристаллическим дисплеем, тестовой ZIF-панелью и площадкой для SMD компонентов. Отсутствие корпуса продиктовано возможным подключением дополнительных плат.Схема тестера LCR-T4 выполнена на микроконтроллере mega328 (точное название — AtMEGA 328P AU), позволяющем реализовать измерение дополнительных параметров. Прошивка тестера LCR-T4 может быть изменена.Тестер LCR-T4 автоматически распознаёт тестируемый элемент и отображает два главных параметра, вместе со схемотехническим обозначением. Главная трудность проверки радиокомпонентов облегчается автоматическим определением расположения их выводов. Калибровка тестера LCR-T4 происходит при выборе соответствующего действия в меню.Возможные вопросы и уточнения: — Какие величины, кроме сопротивления, емкости конденсаторов, индуктивности катушек и коэффициента усиления транзисторов позволяет измерить прибор?проходное сопротивление конденсаторов и их потери, в процентах;ёмкость и падение напряжения на MOSFET;падение напряжения на биполярных транзисторах в открытом состоянии при автоматическом распознавании n-p-n/p-n-p;определение выводов тиристоров и симисторов;ёмкость, полярность и напряжение на диодах и диодных мостах;отображение наличия защитного диода в транзисторах;измерение JFET, D-MOS, E-MOS и IGBT. — Какие возможности можно добавить к прибору самостоятельно?тестирование характеристик стабилитронов с Uстаб>4 В;защита портов;работа в качестве генератора и измерителя частот;подключение графического и/или цветного дисплея.Характеристики:Диапазон измерения емкости 25 пФ – 100 мФ с точностью 1%Точность измерения емкости ± 1%Диапазон измерения индуктивности 0,01 мГн – 20 Гн с точностью 1%Точность измерения индуктивности ± 1%Диапазон измерения сопротивления 0,1 Ом – 50 МОм с точностью 1%Точность измерения сопротивления ± 1%Тестируемые компоненты биполярные транзисторы (PNP, NPN); полевые транзисторы (MOSFET) P- и N-канальные; JFET транзисторы; диоды и светодиоды; резисторы; полярные и неполярные конденсаторы; элементы питания; катушки индуктивности; двойные диоды; симисторы; тиристоры; стабилитроны(< 5 В); дроссели;
1100 Руб.
Перечень основных возможностей устройства: ∙ Измерение сопротивлений в широком диапазоне; ∙ Измерение ёмкостей конденсаторов в широком диапазоне; ∙ Определение эквивалентного последовательного сопротивления конденсаторов (ESR); ∙ Измерение индуктивностей в широком диапазоне; ∙ Определение основных параметров диодов (прямое падение напряжения, проходная ёмкость); ∙ Определение основных параметров транзисторов любых типов; ∙ Определение цоколевки тиристоров и триаков (симисторов); ∙ Определение назначения выводов всех поддерживаемых полупроводниковых компонентов с числом выводов 2 или 3. Тестируемые элементы: ∙ Резисторы; ∙ Полярные и неполярные конденсаторы; ∙ Катушки индуктивности; ∙ N-P-N и P-N-P биполярные транзисторы; ∙ MOSFET транзисторы P- и N-канальные; ∙ JFET транзисторы; ∙ Диоды; ∙ Двойные диоды; ∙ Тиристоры; ∙ Симисторы. Спецификация: диапазон: резистор: 0.1 Ω-50МОМ конденсатор: 25pF-100000uF индуктивность: 0.01 mH-20 H рабочая мощность: DV-9В ток в режиме ожидания: 0.02uA
1399 Руб.
Микросхема p/n PK5C8EA N-Channel MOSFET, 30V, 82A, 1 шт. p/n: PK5C8EA Цвет: черный Сила тока: 82A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
430 Руб.
Микросхема p/n PK6B2BA N-Channel MOSFET, 30V, 52A, 1 шт. p/n: PK6B2BA Цвет: черный Сила тока: 52A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
240 Руб.
Микросхема p/n NTMFD4901NFT1G N-Channel MOSFET, 30V, 10.3A, 1 шт. p/n: NTMFD4901NFT1G Цвет: черный Сила тока: 10.3A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
430 Руб.
Микросхема p/n SISS66DN N-Channel MOSFET, 30V, 178.3A, 1 шт. p/n: SISS66DN Цвет: черный Сила тока: 178.3A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
430 Руб.
Микросхема p/n SSM6K504NU N-Channel MOSFET, 30V, 9A, 1 шт. p/n: SSM6K504NU Цвет: черный Сила тока: 9A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
230 Руб.
Микросхема p/n NTMFS4C06NBT1G Dual N-Channel MOSFET, 30V, 69A, 1 шт. p/n: NTMFS4C06NBT1G Цвет: черный Сила тока: 69A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
310 Руб.
Микросхема p/n TPCA8A11-H N-Channel MOSFET, 30V, 35A, 1 шт. p/n: TPCA8A11-H Цвет: черный Сила тока: 35A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
240 Руб.
Микросхема p/n TPCC8065-H N-Channel MOSFET, 30V, 13A, 1 шт. p/n: TPCC8065-H Цвет: черный Напряжение: 13A Сила тока: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
240 Руб.
Микросхема p/n TPCA8062-H N-Channel MOSFET, 30V, 28A, 1 шт. p/n: TPCA8062-H Цвет: черный Сила тока: 28A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
240 Руб.
Микросхема p/n TPCA8056-H N-Channel MOSFET, 30V, 48A, 1 шт. p/n: TPCA8056-H Цвет: черный Сила тока: 48A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
220 Руб.
Микросхема QM3058M6 N-Channel MOSFET, 30V, 140A, 1 шт. p/n: QM3058M6 Цвет: черный Сила тока: 140A Напряжение: 30V Страна: Китай Количество: 1 шт
240 Руб.